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C2M0080120D 参数如下：
产品属性 属性值 搜索类似 制造商:
Cree, Inc.

产品种类:
MOSFET

RoHS:
详细信息

技术:
SiC

安装风格:
Through Hole

封装 / 箱体:
TO-247-3

通道数量:
1 Channel

晶体管 性:
N-Channel

Vds-漏源 击穿电压:
1200 V

Id-连续漏 电流:
31.6 A

Rds On-漏源导通电阻:
98 mOhms

Vgs - 栅 -源 电压:
- 5 V, 20 V

Vgs th-栅源 阈值电压:
4 V

Qg-栅 电荷:
71 nC

小工作温度:
- 55 C

大工作温度:
+ 150 C

Pd-功率耗散:
208 W

配置:
Single

通道模式:
Enhancement

封装:
Tube

高度:
21.1 mm

长度:
16.13 mm

产品:
Power MOSFETs

晶体管类型:
1 N-Channel

类型:
Silicon Carbide Power MOSFET

宽度:
5.21 mm

商标:
Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 小值:
3.9 S

下降时间:
21 ns

产品类型:
MOSFET

上升时间:
34 ns

工厂包装数量:
30

子类别:
MOSFETs

典型关闭延迟时间:
23.2 ns

典型接通延迟时间:
12 ns

单位重量:
38 g


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